Свежее поступление товара

Диапазон измеряемых температур - 0...50С
Погрешность измеряемых температур - 1С
Диапазон измеряемой влажности - 20...90% RH
Погрешность измеряемой влажности - 5% RH

Средний выпрямленный ток, не более: 20А
Максимальное обратное напряжение: 530в
Проходная емкость: -
Время восстановления: 23нс
Максимальное падение напряжения: 1.65в max @20A

Металлизированная, тубус, смазка в комплекте.
Подходит для: HP P1005 / P1006 / P1007 / P1008 / P1505 / LBP-6000 / LBP-6200

Термодатчик - термопара, мощность 50 вт.

24в / 50W. d=3.75мм, R=50 ом @ 20C

Конденсатор электролитический CapXon
Серия: KM
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 5x11мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 2.54 мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: SD
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 6.3x11мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 2.5мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: RD
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 5x11мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 2мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: RD
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 8x12мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 3.5мм

Конденсатор электролитический CapXon (компьютерный)
Серия: LZ
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 8x12.5мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 3.25 мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: SD
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 13x20мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 5мм

Конденсатор электролитический ChengX
Серия: -
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 10x21мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 3.5мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: SD
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 12.7x21мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 5.5мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: SD
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 12.5x25мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 5мм

Конденсатор электролитический CAPXON
Серия: KW
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 16x21мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 7.5мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: RD
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 16x25мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 7.5мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: SD
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 16x25мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 7.5мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: RD
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 16x31мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 7.5мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: SD
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 16x31мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 7.5мм

Конденсатор электролитический CAPXON
Серия: KW
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 18x21мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 7.5мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: HC
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 25x25мм
Выводы, расстояние между выводами: жесткие, 10мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: SD
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 18x40мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 10мм

Конденсатор электролитический CapXon
Серия: KM
Температурный диапазон:105C
Габариты (диаметр / высота) 18x35мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 7.5 мм

Конденсатор электролитический Samwha
Серия: SD
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 22x45мм
Выводы, расстояние между выводами: гибкие, 10мм

Конденсатор электролитический CapXon
Серия: LP
Температурный диапазон:85C
Габариты (диаметр / высота) 22x46мм
Выводы, расстояние между выводами: жесткие, 10 мм

LM358 Сдвоенный ОУ широкого применения

Напряжение питания: +-1.5...+-16в.

LM358 Сдвоенный ОУ широкого применения

Напряжение питания: +-1.5...+-16в.

LM393 Сдвоенный компаратор широкого применения

TL084 Счетверенный ОУ на полевых транзисторах.

Быстродействие: 13в/мкс
Частота ед. усиления: 4Мгц
Напряжение питания: не более +-18в.

TL082 Сдвоенный ОУ на полевых транзисторах.

Быстродействие: 13в/мкс
Частота ед. усиления: 4Мгц
Напряжение питания: не более +-18в.

TL082 Сдвоенный ОУ на полевых транзисторах.

Быстродействие: 13в/мкс
Частота ед. усиления: 4Мгц
Напряжение питания: не более +-18в.

TL081 ОУ на полевых транзисторах.

Быстродействие: 13в/мкс
Частота ед. усиления: 4Мгц
Напряжение питания: не более +-18в.

NE5532 Сдвоенный "музыкальный" ОУ.

Быстродействие: 8в/мкс
Частота ед. усиления: 10Мгц
Напряжение питания: +-22в.

LM833 Сдвоенный малошумящий ОУ

Быстродействие: 7в/мкс
Частота ед. усиления: 15Мгц
THD: 0.002%
Напряжение питания: +-2.5...+-15в.

TL081 ОУ на полевых транзисторах.

Быстродействие: 13в/мкс
Частота ед. усиления: 4Мгц
Напряжение питания: не более +-18в.

XPT9911 Усилитель AB/D класса 12W

ISL98602 Пятиканальный DC-DC преобразователь

MAX2606 Управляемый напряжением генератор 70...150мГц (VCO)

TOP MARK: AABC

M81737 сдвоенный High-side драйвер полевых транзисторов.

Усилитель мощности 4 x 41W
Заменяет PAL007, TB2929 и им подобные

ISL6237 контроллер питания ноутбука. Имеет аналоги: RT8206B

UP9509P контроллер питания компьютерного оборудования

Линейный стабилизатор напряжения LD1117

Напряжение стабилизации: 3.3в
Максимальный ток нагрузки: 0.8а
Максимальное входное напряжение : 12в

LM317 Управляемый стабилизатор напряжения 1.2 ... 37в, 1.5а

Линейный стабилизатор напряжения 7809

Напряжение стабилизации: 9в
Максимальный ток нагрузки: 1.5а
Максимальное входное напряжение : 35в

LM337 Управляемый стабилизатор напряжения -1.2 ... -37в, 1.5а Комплементарная пара к LM317

ШИМ контроллер SG6848

Vcc max: 25в
Vcc start: 16.3в
Частота преобразования: 70кгц
Коэффициент заполнения max: 75%
Наличие ключевого транзистора: нет
Максимальная мощность ИП: -
TOP MARK: AAH

NCP1529. Понижающий импульсный стабилизатор напряжения.
Vin = 2.7...5.5 в
Vout = 0.9...3.9 в
Imax = 1а
f = 1.7МГц
Аналоги: MP2104, APW7101
TOP MARK: DXJ

FAN6755 ШИМ контроллер, 65кГц

STR-X6768 силовая сборка БП Sanken

Входное напряжение: 2...24в
Выходное напряжение: до 28в, регулируемое
Максимальный ток ключа: 4А
Частота: 1.2мГц

Вход: 3...35в
Выход: регулируемый, ток до 3A

Со встроенным вольтметром
Вход: 3...35в
Выход: регулируемый, ток до 3A

Плата б.у., после ремонта. 100% работает, проверена на живом ТВ. Гарантия при установке нашим СЦ - 3 месяца. Иначе три дня на проверку. Проверялась с Samsung PS-42E71HR

Длина - 1м
Для ноутбука / планшета
Качество штекера в разы выше разборных и сопоставимо с оригинальными.

Для ноутбуков Asus, Toshiba, некоторых HP и Lenovo.
Длина 1.1м, Ток до 4.5а
Качество штекера в разы выше разборных и сопоставимо с оригинальными.

Толщина 0.13мм, длина 9.1м

Приблизительная длина - 3м

Для восстановления контактов на гибких поверхностях

В жестяной банке. Среднеактивная, для повседневного использования.

Для восстановления потенциометров

Для цепей размагничивания ТВ, 3 вывода

Реле HONGFA JQC-3FF-12VDC-SZ
Тип контактов: один на переключение
Номинальное напряжение срабатывания: 12V DC
Максимальный коммутируемый ток: 10A @250V AC

Реле Tengfei JQC-3FF-12VDC-SH
Тип контактов: один на переключение
Номинальное напряжение срабатывания: 12V DC
Максимальный коммутируемый ток: 15A @250V AC

Максимальное напряжение, В: 600
Максимальный ток, А: 0.8
Ток переключения, ма: 7
Ток удержания, ма: 20

Максимальное напряжение, В: 800
Максимальный ток, А: 1
Ток переключения, ма: 5
Ток удержания, ма: 10

Максимальное напряжение, В: 600
Максимальный ток, А: 1
Ток переключения, ма: 5
Ток удержания, ма: 10

Максимальное напряжение, В: 600
Максимальный ток, А: 4
Ток переключения, ма: 2.5...25
Ток удержания, ма: 15

Максимальное напряжение, В: 800
Максимальный ток, А: 12
Ток переключения, ма: 2
Ток удержания, ма: 7

Специализированный симистор с управляющим входом рассчитанным на работу с МК

Максимальное напряжение, В: 600
Максимальный ток, А: 0.8
Ток переключения, ма: -
Ток удержания, ма: -

Специализированный симистор с управляющим входом рассчитанным на работу с МК

Максимальное напряжение, В: 600
Максимальный ток, А: 0.8
Ток переключения, ма: -
Ток удержания, ма: -

Максимальное напряжение, В: 600
Максимальный ток, А: 16
Ток переключения, ма: 50
Ток удержания, ма: 50

Максимальное напряжение, В: 800
Максимальный ток, А: 16
Ток переключения, ма: 5...22
Ток удержания, ма: 6...45

Максимальное напряжение, В: 600
Максимальный ток, А: 25
Ток переключения, ма: 35
Ток удержания, ма: 50

Максимальное напряжение, В: 600
Максимальный ток, А: 40
Ток переключения, ма: 50...100
Ток удержания, ма: 80

Транзистор c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный

Характеристики:
Vces = 360в
Vge = 30в
Ic = 40a
Pc = 30W

Транзистор c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный

Характеристики:
Vces = 630в
Vge = 30в
Ic = 35a
Pc = 25W

Транзистор широкого применения NPN BC546

Комплементарная пара: BC556

Характеристики:
Vceo = 65в
Vcbo = 80в
Vebo = 5в
Ic = 100ma
Pc = 500mW
hfe = BC546A - 110...220
BC546B - 200...450

Транзистор NPN BC550C малошумящий

Комплементарная пара: BC560С

Характеристики:
Vceo = 45в
Vcbo = 50в
Vebo = 5в
Ic = 100ma
Pc = 500mW
hfe = 420...800

Транзистор NPN BD911 мощный широкого применения

Комплементарная пара: BD912

Характеристики:
Vceo = 100в
Vcbo = 100в
Vebo = 5в
Ic = 15a
Pc = 90W
hfe = 15...150

Транзистор NPN BUT11A мощный ключевой высоковольтный

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vceo = 450в
Vcbo = 850в
Vebo = 9в
Ic = 5а
Pc = 20W
hfe = не менее 10

Сборка из двух комплементарных NPN+PNP транзисторов с общим эмиттером. Схемотехнически применяется в качестве повторителя-драйвера в схемах управления мощным полевым или IGBT транзистором.

Характеристики:
Vceo = 50в
Vcbo = 50в
Vebo = 6в
Ic = 3a
Pc = 900mW
Маркировка: 3Y

Транзистор NPN MJE13009L мощный ключевой высоковольтный

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vceo = 700в
Vcbo = -
Vebo = 12в
Ic = 12a
Pc = 125W
hfe = 15...36

Транзистор NPN MD1803DFP ключевой для строчной развертки.
Оригинальное изделие ST а не китайская подделка.

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vceo = 700в
Vcbo = 1500в
Vebo = 10в
Ic = 10a
Pc = 40W
hfe = не менее 5.5

Транзистор NPN составной TIP142 мощный

Комплементарная пара: TIP147

Характеристики:
Vceo = 100в
Vcbo = 100в
Vebo = 5в
Ic = 10a
Pc = 125W
hfe = более 500

Транзистор NPN MD2001FX ключевой для строчной развертки

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vceo = 700в
Vcbo = 1500в
Vebo = 9в
Ic = 12a
Pc = 58W
hfe = не менее 4.5

Транзистор NPN MD1803DFX ключевой для строчной развертки.
Оригинальное изделие ST а не китайская подделка.

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vceo = 700в
Vcbo = 1500в
Vebo = 10в
Ic = 10a
Pc = 57W
hfe = не менее 5.5

Транзистор NPN BUV48 мощный ключевой высоковольтный
Для ATX блоков питания от 500W в первичной части

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vceo = 400в
Vcbo = -в
Vebo = 7в
Ic = 15a
Pc = 150W
hfe = не менее 8

Транзистор NPN FJL6920 ключевой для строчной развертки
ДЕМОНТАЖ, ДЛИННЫЕ НОГИ, 100% ОРИГИНАЛ

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vceo = 800в
Vcbo = 1700в
Vebo = 6в
Ic = 20a
Pc = 200W
hfe = не менее 5.5

FS8205 Два транзистора N-MOS малой мощности низковольтные

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vds = 20в
Vdg = 20в
Vgs = 12в
Id = 6a
Pd = 1W
Rds = 0.021ом

Транзистор P-MOS IRFU9024 средней мощности низковольтный

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vds = 60в
Vdg = 60в
Vgs = 20в
Id = 8.8a
Pd = 42W
Rds = 0.28ом

Транзистор N-MOS IRFZ24 мощный низковольтный

Комплементарная пара: IRF9Z24

Характеристики:
Vds = 60в
Vdg = 60в
Vgs = 20в
Id = 17a
Pd = 60W
Rds = 0.1ом

Транзистор N-MOS IRFZ44 мощный низковольтный.
Оригинальное изделие IRF а не китайская подделка.

Комплементарная пара: IRF9Z44

Характеристики:
Vds = 60в
Vdg = 60в
Vgs = 20в
Id = 55a
Pd = 150W
Rds = 0.028ом

Транзистор N-MOS IRF840 мощный высоковольтный

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vds = 500в
Vdg = 500в
Vgs = 20в
Id = 8a
Pd = 125W
Rds = 0.85ом

Транзистор N-MOS IRF740 мощный высоковольтный

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vds = 400в
Vdg = 400в
Vgs = 20в
Id = 10a
Pd = 125W
Rds = 0.42ом

Транзистор N-MOS IRF3205 мощный низковольтный/
Оригинальное изделие IRF а не китайская подделка.

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vds = 55в
Vdg = 55в
Vgs = 20в
Id = 110a
Pd = 200W
Rds = 0.008ом

Транзистор N-MOS STP6NK60ZFP мощный высоковольтный

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vds = 600в
Vdg = 600в
Vgs = 30в
Id = 6a
Pd = 39W
Rds = 1.2ом

Транзистор N-MOS IRF1404Z мощный низковольтный
Оригинальное изделие IRF а не китайская подделка.

Комплементарная пара: нет

Характеристики:
Vds = 40в
Vdg = 40в
Vgs = 20в
Id = 180a
Pd = 200W
Rds = 0.0027ом

AOE6930
Два ассиметричных транзистора N-MOS мощных низковольтных,

Характеристики:
Vds1 = 30в
Vdg1 = 30в
Vgs1 = 20в
Id1(N-ch) = 22a
Rds1(N-ch) = 0.0043ом
Vds2 = 30в
Vdg2 = 30в
Vgs2 = 12в